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酸化インジウム(III)

nanopowder, <100 nm particle size (TEM), 99.9% trace metals basis

• 別名: 三二酸化インジウム, 三酸化二インジウム
• 実験式（ヒル表記法）: In₂O₃
• CAS Number: 1312-43-2
• 分子量: 277.63
• EC Number: 215-193-9
• MDL番号: MFCD00011060
• UNSPSCコード: 12352302
• PubChem Substance ID: 24882321
• NACRES: NA.23

特性

• 蒸気圧: <0.01 mmHg ( 25 °C)
• 品質水準: 100
• アッセイ: 99.9% trace metals basis
• フォーム: nanopowder
• 反応適合性: reagent type: catalyst; core: indium
• 粒径: <100 nm (TEM)
• 密度: 7.18 g/mL at 25 °C (lit.)
• SMILES記法: O=[In]O[In]=O
• InChI: 1S/2In.3O
• InChI Key: SHTGRZNPWBITMM-UHFFFAOYSA-N

詳細

詳細

酸化インジウム（III）は、電子工学、光学、材料科学において重要な用途を持つ多用途の化合物です。導電性と光透過性のため、特にフラットパネルディスプレイや太陽電池用の透明導電性酸化物（TCO）の合成に広く使用されています。半導体技術では、インジウムスズ酸化物（ITO）の製造に使用され、電子機器の性能を向上させます。また、さまざまなガスに敏感であるため、ガス検知用途、特に有害ガスの検出に適しています。

アプリケーション

• CO2光触媒のためのアミン修飾表面フラストレートルイス対：水酸化酸化イリジウムとアミン修飾表面フラストレートルイス対を使用したCO2還元の光触媒性能の強化について議論しています（Q Guan et al., 2024）。
• UV光励起によるガスセンシングの性能向上：400 nmのUV光励起による、酸化インジウム(III)などの金属酸化物半導体ケミレジスタの室温ガスセンシング能力の改善について探索しています（S Paul et al., 2024）。
• 工業およびナノ粒子合成におけるインジウム(III)錯体：さまざまな工業用途および酸化インジウムのようなナノ粒子の合成における触媒および前駆体としての3価インジウム錯体の使用について概説しています（TO Ajiboye et al., 2024）。
• Ag/In2O3逆オパールの合成：銀／酸化インジウム逆オパール構造の合成および視点の詳細を示し、その光学特性に基づく半導体用途における可能性を強調しています（AV Lyutova et al., 2024）。
• ヒドロキシラジカルおよびマンガン種の光触媒的生成：可視光下の効率的なマイクロ汚染物質除去のための過マンガン酸塩の光触媒性能の強化における酸化インジウムの使用について調査しています（J Li et al., 2024）。

安全性情報

• 保管分類コード: 11 - Combustible Solids
• WGK: WGK 3
• 引火点(°F): Not applicable
• 引火点(℃): Not applicable
• 個人用保護具 (PPE): dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves