773719
Graphene, monolayer film
1 cm x 1 cm on quartz, avg. no. of layers, 1
Product Name
単層グラフェン膜, 1 cm x 1 cm on quartz, avg. no. of layers, 1
品質水準
フォーム
film
特徴
avg. no. of layers 1
抵抗
600 Ω/sq
L × W ×厚み
1 cm × 1 cm × (theoretical) 0.345 nm, monolayer graphene film
1.25 cm × 1.25 cm × 525 μm, quartz substrate
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詳細
Graphene is a unique one atom thick, two dimensional allotrope of carbon. Among all the synthesis technique, chemical vapor deposition of graphene on various substrates is the most promising route for the large scale production of good quality graphene. Graphene deposited on dielectric surface may exhibit better performance in graphene based FETs. Graphene deposited on quartz may be deposited by direct chemical vapor deposition via a sacrificial copper film.
Growth Method: CVD synthesis
Transfer Method: Clean transfer method
Quality Control: Optical Microscopy & Raman checked
Size: 1 cm x 1 cm
Appearance (Color): Transparent
Transparency: >97%
Appearance (Form): Film
Coverage: >95%
Number of graphene layers: 1
Thickness (theoretical): 0.345 nm
FET Electron Mobility on Al2O3: 2; 000 cm2/V·s
FET Electron Mobility on SiO2/Si (expected): 4; 000 cm2/V·s
Sheet Resistance: 600 Ohms/sq.
Grain size: Up to 10 μm
Substrate Quartz
Size: 1.25 cm x 1.25 cm
Flatness: bow: 20μm; warp: 30μm
Roughness:6 angstroms (on the polished side)
Surface: Double side polished
Transfer Method: Clean transfer method
Quality Control: Optical Microscopy & Raman checked
Size: 1 cm x 1 cm
Appearance (Color): Transparent
Transparency: >97%
Appearance (Form): Film
Coverage: >95%
Number of graphene layers: 1
Thickness (theoretical): 0.345 nm
FET Electron Mobility on Al2O3: 2; 000 cm2/V·s
FET Electron Mobility on SiO2/Si (expected): 4; 000 cm2/V·s
Sheet Resistance: 600 Ohms/sq.
Grain size: Up to 10 μm
Substrate Quartz
Size: 1.25 cm x 1.25 cm
Flatness: bow: 20μm; warp: 30μm
Roughness:6 angstroms (on the polished side)
Surface: Double side polished
アプリケーション
Graphene may be extensively incorporated in several applications, such as; nanoelectronics, fuel cells, solar cell, photovoltaic devices, in biosensing, optical biosensors, MEMS, NEMS, field effect transistors (FETs), chemical sensors, nanocarriers in biosensing assays., 4
シグナルワード
Danger
危険有害性情報
危険有害性の分類
Carc. 1B - Eye Irrit. 2 - STOT RE 1 Inhalation - STOT SE 3
ターゲットの組織
Lungs, Respiratory system
保管分類コード
6.1D - Non-combustible acute toxic Cat.3 / toxic hazardous materials or hazardous materials causing chronic effects
WGK
WGK 3
引火点(°F)
Not applicable
引火点(℃)
Not applicable
適用法令
試験研究用途を考慮した関連法令を主に挙げております。化学物質以外については、一部の情報のみ提供しています。 製品を安全かつ合法的に使用することは、使用者の義務です。最新情報により修正される場合があります。WEBの反映には時間を要することがあるため、適宜SDSをご参照ください。
労働安全衛生法名称等を表示すべき危険物及び有害物
名称等を表示すべき危険物及び有害物
労働安全衛生法名称等を通知すべき危険物及び有害物
名称等を通知すべき危険物及び有害物
Jan Code
773719-4EA:
773719-4EA-PW:
773719-BULK:
773719-VAR:
ライフサイエンス、有機合成、材料科学、クロマトグラフィー、分析など、あらゆる分野の研究に経験のあるメンバーがおります。.
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